1. Подложка

• Материал: обычно используемый сапфир (Al₂O₃), кремний (Si) или карбид кремния (SiC).
• Функция: обеспечивает основу для роста эпитаксиального слоя и влияет на рассеивание тепла и эффективность люминесценции.
• Особенности: сапфир низкая стоимость, но плохая теплопроводность; Карбид кремния хорошо проводит тепло, но стоит дорого.

2. Буферный слой

• Материал: Обычно нитрид алюминия (AlN) или нитрид галлия (GaN).
• Функция: Уменьшите несоответствие решетки между подложкой и эпитаксиальным слоем, улучшите качество кристаллов.

3. Слой N-типа

• Материал: нитрид галлия (GaN), легированный кремнием (Si).
• Функция: Обеспечивает электронам часть PN-перехода.

4. Квантовая яма

• Материал: многослойная структура нитрида алюминия-галлия (AlGaN).
• Действие: здесь объединяются электроны и дырки, излучающие свет, определяющий длину волны света.
• Особенности: Регулируя содержание алюминия в AlGaN, можно контролировать длину волны УФ-излучения (200-280 нм).

5. Слой P-типа

• Материал: нитрид галлия (GaN), легированный магнием (Mg).
• Функция: Обеспечьте отверстия для формирования другой части PN-перехода.

6. Электроды

• Материал: Обычно используется золото (Au) или серебро (Ag).
• Структура:
• Электрод N-типа: расположен на слое N-типа, обычно это отрицательный электрод.
• Электрод P-типа: расположен на слое P-типа, обычно положительный.
• Что он делает: он обеспечивает электрический ток, обеспечивающий объединение электронов и дырок и свечение в квантовых ямах.

7. Светоотражающий слой

• Материал: обычно используется алюминий (Al) или серебро (Ag).
• Функция: Отражение света, повышение эффективности светоотдачи.

8. Инкапсуляция

• Материал: обычно используемый силикагель или эпоксидная смола.
• Функция: Защитите чип, улучшите светоотдачу и долговечность.